· 测试项目：

1. 对样品表面成分进行定量、半定量分析；

2. 可以分析除H和He以外的所有元素，对所有元素的灵敏度具有相同的数量级；

3. 能够观测化学位移；

4. 可作定量分析，既可测定元素的相对浓度，又可测定相同元素的不同氧化态的相对浓度。

· 主要参数：

1. 极限能量分辨率：0.43 eV；

2. 分析室真空度：优于 5×10-10 mbar；

3. 能量分析范围：0-1300 eV；

4. 通过能范围：不小于 1-400 eV；

5. 线扫描最佳空间分辨率：<1 μm。

· 主要用途：

主要用来观测材料表面元素的芯能级化学态，做定性及定量分析。具体功能包含但不限于如下方面：

1. 深度剖析：Ar 离子枪辅助刻蚀，观察材料纵向深度的结构元素信息；

2. 紫外光电子能谱：得到非绝缘样品功函数，价带谱；

3. 离子散射谱：可对材料表面 1 nm 深度内做成分分析，对表面更加敏感；

4. 背散射电子能量损失谱：确定样品表面 H 元素的含量，及能级结构；

5. 角分辨 XPS：无损得到样品表面约 10 nm 深度内元素及其化学态随深度的分布信息；

6. 原位实验：样品可加热最高温度至 1000 k，冷却最低温度至 100 k，对同一位置进行测试分析，Ar 离子团簇/单离子可清洁表面。

· 测试实例：

1. Depth Profile

        图示样品为具有一定厚度氧化层的金属铝块。表面经过 180s 的 Ar 离子刻蚀，每隔 20s 刻蚀时间分析器收集一次谱图，以下分别是 Al，O，C 的精细谱及它们的相对含量随时间变化的过程。

2. XPS image

图示为 120μm×120μm 面积的 Cu 网的光电子成像，可得到 Cu 元素的空间分布状态。

3. XPS mapping

         通过对薄膜材料的关注元素进行小范围面扫，锁定关注元素在薄膜表面聚集区域。如图，V 元素多聚集在红色橙色区域，对该区域进行点扫，测得相关数据。